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金融界2025年8月22日消息，国家知识产权局信息显示，桑迪士克科技股份有限公司取得一项名为“包含用于接触通孔结构的介电阱结构的多层三维存储器器件及其形成方法”的专利，授权公告号CN114730773B，申请日期为2020年06月。
本文源自：金融界
作者：情报员
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