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在存储技术不断创新的浪潮中， MRAM作为新一代存储技术脱颖而出。作为中国MRAM新型非易失存储芯片技术研发、生产制造的领军企业，浙江驰拓科技确认参展2025年深圳国际电子展（展位：1号馆1P26，时间：8月26-28日），将呈现MRAM产品与技术的最新成果。
传统的存储器件大多都是利用电子的电荷作为存储介质，如SRAM和DRAM以器件中电荷的‘有’‘无’来表示二进制逻辑中的‘1’‘0’，而MRAM则利用多层磁性材料中因磁化方向的不同而导致的电阻高低表示‘1’‘0’，这种存储方式使得MRAM具有高速、低功耗、高擦写、抗辐射、高可靠等优点。
驰拓科技MRAM产品，具有125℃下十年以上数据保持能力，工作温区覆盖-40~+125℃，支持超过万亿次重复写入，亚ppm级失效率的大容量阵列良率水平达到95%。从产品形态上分为嵌入式eMRAM和独立式MRAM两类。
其嵌入式eMRAM可以替代MCU/SoC中的eFlash。随着工艺节点不断演进，eFlash数据存储的物理机制限制了其微缩极限，业界普遍认为28/22nm将是eFlash具有成本效益的最后一个工艺节点，而eMRAM可延展至28nm及更先进工艺节点。驰拓科技eMRAM同时具有类似DRAM的读写速度、闪存的非易失性、匹配SRAM的接口特性和优良的抗辐照特性，可满足高性能、高可靠的应用需求，用于工控、汽车电子、身份认证、智能穿戴等多种场景。
驰拓科技正广泛联合业界IP合作伙伴、MCU/SoC合作伙伴共同打造eMRAM 生态合作链，推动eMRAM在MCU/SoC中的广泛应用，实现一种MCU/SoC内部存储子系统全新解决方案。
图1 eFlash工艺节点瓶颈及eMRAM应用
驰拓科技独立式MRAM按照不同容量、接口、封装分为多个系列，已经在工控、电力、计量等多个行业的头部用户得到应用。
图2 驰拓科技独立式MRAM产品示例
在下一代MRAM，即自旋轨道力矩磁性随机存取存储器（SOT_MRAM,Spin-Orbit Torque MRAM）上的研究上，驰拓科技也处于国内领先水平。在2024年IEDM大会上，驰拓科技首次提出了适合大规模制造的无轨道垂直型SOT-MRAM器件结构，这一突破性设计标志着其具备了Mb级SOT-MRAM演示芯片制造能力，为下一代高速、高密度、高可靠MRAM芯片的设计与制造奠定了坚实的技术基础。
关于浙江驰拓科技
浙江驰拓科技有限公司，建有12英寸MRAM量产中试线，是国内第一家实现MRAM量产的企业。公司拥有先进的新型存储芯片研发与产业化平台，掌握了MRAM设计、制造全套关键技术，成功开发独立式存储芯片和嵌入式IP等系列化产品，并可提供90/55/40/28nm多个先进工艺节点下的芯片定制、工艺研发、流片、测试分析等全方位服务，是中国MRAM新型非易失存储芯片技术研发、生产制造的领军企业。
关于深圳国际电子展
一年一度的深圳国际电子展览会（elexcon）是中国电子产业领域的重要盛事之一，吸引了来自全球电子零部件、半导体、消费电子、通信设备、电子制造设备等各个领域的参展商、专业人士和行业领袖。第22届深圳国际电子展，将于2025年8月26-28日在深圳会展中心(福田)举行。
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