闪迪联手SK海力士，发力新型HBM

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来源：内容编译自blocksandfiles。

Sandisk 和高带宽存储器 (HBM) 市场领导者 SK 海力士正在合作标准化高带宽闪存 (HBF)。

HBF 技术旨在让 GPU 快速访问大量 NAND 容量，以增强其 HBM 相对有限的容量，从而避免对 PCIe 连接的 SSD 进行耗时的数据访问，从而加速 AI 训练和推理工作负载。与HBM类似，HBF 芯片由多层 NAND 堆叠而成，TSV 连接器将每一层连接到基底中介层，从而提供对 GPU 的快速访问。HBF 的访问速度可能比 SSD 快几个数量级。

SK海力士的参与意义重大，因为它开发并供应HBM，并且在HBM-中介层-GPU领域拥有深厚的专业知识，因此也深谙如何同时实现HBF。两家公司已签署谅解备忘录（MoU），旨在标准化规范、定义技术要求，并探索创建HBF技术生态系统。

Sandisk 执行副总裁兼首席技术官、HBF 技术顾问委员会成员 Alper Ilkbahar 表示：“通过与 SK 海力士合作制定高带宽闪存规范，我们正在满足人工智能行业对可扩展内存的迫切需求。此次合作将加速创新，并为行业提供全新工具，以应对未来应用的指数级数据需求。我们的工作将有助于提供有效的解决方案，满足全球技术需求，并超越我们各自客户的期望。”

SK海力士总裁兼首席开发官（CDO）Hyun Ahn博士补充道：“通过与Sandisk合作标准化高带宽闪存规范，我们正在积极促进这项创新技术的商业化，我们相信这是释放人工智能和下一代数据工作负载全部潜力的关键。”

HBM3E 提供高达 1.2 TBps 的带宽和 48 GB 的容量。SK 海力士 PCIe Gen 5 PCB01 SSD 可提供高达 14 GBps 的顺序读取带宽，比 HBM3E 的数据速率慢 86 倍。

HBF 的目标是提供与 HBM 相当的带宽，同时以相似的成本提供高达 HBM 8-16 倍的容量。这意味着最高可达 768 GB。

这份谅解备忘录意味着SK海力士可以生产和供应其自主研发的HBF。这表明Sandisk意识到多供应商HBF市场的重要性，以便向客户保证：首先，他们不会被单一供应商所束缚；其次，竞争将加速HBF的发展；第三，即使一家供应商倒闭，HBF的供应也能得到维持。

让 Nvidia 加入 HBF 技术的认可和标准化，这件事就成了定局。

Sandisk 的 HBF 技术在 FMS：2025 内存和存储的未来中荣获“最佳展示、最具创新技术”奖。

Sandisk 计划在 2026 年下半年推出其 HBF 内存的首批样品，并预计首批采用 HBF 的 AI 推理设备样品将于 2027 年初上市。这些设备甚至可能是手持设备以及笔记本电脑、台式机和服务器。

与 DRAM 相比，可实现 8-16 倍的容量提升

Sandisk 和 SK 海力士刚刚签署了一份谅解备忘录，双方将携手合作，共同推进 AI 内存基础设施的关键性发展。该备忘录在一份新闻稿中宣布，旨在实现“高带宽闪存”（HBF）的标准化。HBF 是一种基于 NAND 闪存的内存技术，内置于类似 HBM 的封装中。这标志着业界首次在将闪存和类似 DRAM 的带宽融合到单一堆栈中方面迈出了坚实的一步，有望彻底改变 AI 模型大规模访问和处理数据的方式。

与完全依赖 DRAM 的传统 HBM 不同，HBF 用 NAND 闪存替代了部分内存堆栈，以牺牲原始延迟为代价，实现了显著更高的容量和非易失性。这种方法使 HBF 能够以相当的成本提供高达 DRAM 型 HBM 8 到 16 倍的容量，同时仍保持相似的带宽水平。与需要恒定功率来保存数据的 DRAM 不同，NAND 是非易失性的，因此能够以更低的能耗实现持久存储。

随着AI推理扩展到能源更加受限的部署环境，这种区别至关重要。超大规模企业（拥有大量云基础设施可供出租的公司）如今正在将推理推向边缘，而AI数据中心的冷却预算已经达到了实际极限。

几年前，一篇题为“闪存中的 LLM ”的研究论文被广泛讨论，该论文提出了一种架构，通过使用 SSD 作为额外的内存层，可以高效运行大型语言模型，从而减轻 DRAM 的部分内存压力。因此，Sandisk 和 SK 海力士将 NAND 闪存的高容量与受 HBM 带宽能力启发的接口设计相结合，有效地提出了一种新的内存类型——一种可以支持大型模型推理，而无需承担传统 HBM 堆栈的发热量和成本开销的内存。

此举也与更广泛的行业变化相一致。例如，三星最近发布了其自主研发的闪存支持的AI存储层“ PBSSD ”，并正在积极研发下一代HBM4 DRAM，预计将包含逻辑芯片集成和潜在的混合堆栈。与此同时，英伟达的Rubin和Vera GPU发展路线图仍然高度依赖HBM，而集成闪存或许能提供一种扩展内存容量的途径，而无需线性增加成本和功耗。您可以查看我们对三星、美光和SK海力士HBM发展路线图的深入分析，了解更多信息。

Sandisk 的 HBF 原型在 2025 年闪存峰会上展出，该原型采用其专有的 BiCS NAND 和 CBA 晶圆键合技术开发而成。该公司在此次峰会上荣获“最具创新力技术”奖，并宣布成立技术顾问委员会，以指导 HBF 的开发和生态系统战略。该委员会由 Sandisk 内部和外部的专家组成，彰显了公司致力于将 HBF 打造为跨行业标准，而非仅仅将其作为专有产品的决心。

HBF 模块样品预计将于 2026 年下半年推出，首款集成该技术的 AI 推理硬件预计将于 2027 年初推出。虽然尚未透露具体的设备或合作伙伴，但业内观察人士推测，一旦标准到位， SK 海力士与英伟达及其他 AI 芯片制造商的密切关系可能会加速该技术的采用。此前，英特尔前图形主管、现经营着自己的初创公司的 Raja Koduri 也曾与 Sandisk 合作，为 AI GPU 的 HBF 提供咨询。

如果成功，此次合作将为异构内存堆栈铺平道路，使 DRAM、闪存，甚至新型持久内存类型能够在 AI 加速器中共存。如此一来，它还能为超大规模计算架构提供商提供亟需的替代方案，以应对日益攀升的 HBM 成本，同时赋能日益突破内存上限的下一代模型。毕竟，SK 海力士已是全球最畅销的内存制造商，因此他们有望从任何内部开发的潜在替代品中获益。

对于 Sandisk 来说，这并非未知领域，因为该公司拥有悠久的合作历史，最近又与闪存发明者 Kioxia 合作，采用 CMOS 工艺开发 BiCS9。尽管 HBF 正在使用基于 CBA 的 BiCS NAND，但 Sandisk 尚未确认这是否是其与 Kioxia 合作的同一代产品。

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今天是《半导体行业观察》为您分享的第4119期内容，欢迎关注。

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