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金融界2025年8月4日消息，国家知识产权局信息显示，罗姆股份有限公司申请一项名为“SiC半导体装置”的专利，公开号CN120419306A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明的SiC半导体装置包括：SiC层，其包括主面；沟槽结构，其形成于所述主面，且在俯视时沿第一延伸方向延伸；以及平面电极型的栅极结构，其配置在所述主面上，且在俯视时沿所述第一延伸方向以外的第二延伸方向延伸。
本文源自：金融界
作者：情报员
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