北京
金融界2025年8月4日消息，国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种化合物半导体激光器芯片的外延结构”的专利，公开号CN120414263A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明公开了一种化合物半导体激光器芯片的外延结构，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，所述上限制层上方具有布洛赫表面波增强层，所述布洛赫表面波增强层包括第一布洛赫表面波增强层、第二布洛赫表面波增强层和第三布洛赫表面波增强层。本发明布洛赫表面波增强层形成激子与布洛赫表面波强耦合的极化激元，通过局域电场诱导布洛赫表面波增强层形成极化转向和自旋极化率，调控布洛赫表面波增强层极化反转，屏蔽负极化电荷，降低量子限制Stark效应，提升激光元件的非线性响应和电激射增益。
天眼查资料显示，安徽格恩半导体有限公司，成立于2021年，位于六安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8505.7882万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽格恩半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息493条，此外企业还拥有行政许可12个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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