北京
盛美上海
用于先进芯片制造领域的
Ultra C wb湿法清洗设备
重大升级
专利申请中的氮气鼓泡技术，
显著提升了湿法刻蚀均匀性以及清洗性能。
盛美半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“盛美上海”）（科创板股票代码：688082），作为一家为半导体前道和先进晶圆级封装应用提供晶圆工艺解决方案的卓越供应商，今日宣布对其Ultra C wb湿法清洗设备进行了重大升级。此次全新升级旨在满足先进节点制造工艺的苛刻技术要求。
升级后的Ultra C wb采用了专利申请中的氮气（N2）鼓泡技术，有效解决了湿法刻蚀均匀性差和副产物二次沉积问题。在先进节点制造工艺中，这些问题常见于高深宽比沟槽和通孔结构的传统磷酸湿法清洗工艺。氮气鼓泡技术不但提升了磷酸传输效率，而且提高了湿法刻蚀槽内温度、浓度和流速的均匀性。湿法刻蚀过程中质量传递效率的提高可防止副产物在晶圆微结构内积聚，从而避免二次沉积。这项技术在500层以上的3D NAND，3D DRAM，3D 逻辑器件中有巨大的应用前景。
盛美上海总经理王坚表示：
性能提升始终是首要的追求，通过专利申请中的集成氮气鼓泡技术，盛美提升了Ultra C wb设备的工艺性能。批式处理工艺始终是湿法加工领域的关键环节，与单晶圆湿法清洗相比，其在成本效益、生产效率及化学品消耗方面具有显著优势。
升级后的Ultra C wb设备具有以下全新特性与优势：
▲ 提升蚀刻均匀性：相较于传统的槽式湿法清洗设备，Ultra C wb平台配备了氮气鼓泡技术，将晶圆内以及晶圆间的湿法刻蚀均匀性提高了50%以上。
▲ 提高颗粒去除性能：在先进节点工艺中，Ultra C wb平台的卓越清洗能力已被证明能够高效去除特殊磷酸添加剂的有机残留物。
▲ 扩展工艺能力：升级后的清洗台模块已通过三道先进节点工艺验证，包括：叠层氮化硅蚀刻、沟道孔多晶硅蚀刻以及栅极线钨蚀刻，可搭配多种化学药液使用，如磷酸、H4刻蚀液（一种常用于金属薄膜蚀刻的混合酸溶液）、四甲基氢氧化铵（TMAH）、标准清洗液1（SC1 ）以及硅锗（SiGe）刻蚀液等。此外，更多道工艺及应用方案正在客户工厂进行开发。
▲ 自主知识产权设计：专利申请中的氮气鼓泡设计可生成均匀分布的大尺寸气泡，且气泡密度精准可控。该专利申请的氮气鼓泡核心技术可以应用在盛美上海的Ultra C Tahoe（单片槽式组合清洗设备）平台上，更好地解决客户未来的工艺需求。
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(盛美上海)
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