固态鄙视链的传承 PLC要接替QLC了吗？

固态硬盘的特点就是用电信号擦写来存储数据，再具体点，就是闪存芯片的存储单元通过电信号的充放电来写入和擦除数据。而闪存片由大量的存储单元组成，每个存储单元可以存储一个或多个bit的信息。也正是因此，如何能在存储单元内存储更多的数据，就成为“扩容”的根本所在。然而也正因为如此，每一代技术革新后都需要更精细的电压控制来区分更多状态，从而导致更容易磨损和更低的擦写寿命。SLC之后MLC被批寿命短，TLC出现后顶替了MLC的位置，乃至当下QLC被批判的体无完肤——如今PLC在即，你嫌弃的QLC未来也会变成“香饽饽”。

从SLC到QLC 这都是啥意思？

固态存储颗粒技术历经了SLC→MLC→TLC→QLC的转变，每一次都是几何式倍增容量空间。那么他们是怎么做到的，又是怎样影响擦写寿命的呢？固态硬盘靠闪存芯片来存储数据，数据的最小存储单位称为“cell”，每个cell内存储多少数据就代表着它属于哪一种技术类型的颗粒。

SLC(Single-Level Cell)：每个cell存储1bit数据；

MLC(Multi-Level Cell)：每个cell存储2bit数据；

TLC(Trinary-Level Cell)：每个cell存储3bit数据；

QLC(Quad-Level Cell)：每个cell存储4bit数据；

PLC(Penta-level cell)：每个cell存储5bit数据。

这些NAND颗粒在物理结构上是由一个个的“块”来组成的，每个“块”都有一定的擦除寿命（P/E）。理论上，颗粒擦写寿命的排名是SLC＞MLC＞TLC＞QLC＞PLC。以TLC 1TB固态为例，假设它的擦写次数3000次，那么它的全写入寿命应该是1024GB×3000P/E=3072000GB，假设每天都要写满1024GB的数据，那么它的理论全寿命是8.2年——问题是，你会每天写入1TB的数据吗？实际上，固态硬盘的杀手根本就不是颗粒寿命。

鄙视链的形成 源于固执和盲从

其实每一代新的存储技术更迭，就会有人带着风向对新技术口诛笔伐。例如MLC刚刚出现的时候，不管容量提升多少，大家一致的认知就是，“你看，它的擦写寿命比SLC低多了”——这一传承时至今日依旧存在，QLC目前承担了一切的“骂名”。除了理论寿命，还涉及到存储技术改进带来的影响，比如3D NAND技术带来的存储单元立体化、QLC带来的超大容量以及写冗余、甚至是固件算法优化写入（绝大多数人都忽略的事情），都实实在在提升了存储颗粒的写寿命以及性能。你不知道的是，QLC最初仅有100P/E~150P/E，但是经过技术发展，当前QLC已经超过了1000P/E（长江存储推出的X2-6070第三代QLC 3D NAND拥有4000P/E）。

QLC技术特性：每个存储单元可存储4比特数据，带来超高容量，其更大的写入冗余空间（预留空间）和更智能的磨损均衡算法，有效弥补了单元自身耐用性较低的缺点，提升了实际使用寿命；

3D NAND：立体堆叠存储单元，在相同面积内大幅增加容量，降低了单个存储单元承受的写入压力，从而提升了整体芯片的耐用性（寿命）；

固件算法优化：先进的固件通过智能的磨损均衡、垃圾回收和写入策略（如SLC缓存），显著减少了实际对底层存储单元的物理写入次数（降低写放大），极大地延长了固态的有效寿命。

PLC 下一个口碑倒霉蛋

PLC颗粒目前的擦写寿命预计为10P/E~100P/E，远低于当前QLC的1000P/E水平，但是单颗粒可用容量比QLC提升约20%~25%，适合高容量、读密集场景——预计它将于2026年开始展露头角，但是初期因为其技术特点，更适合在数据中心和读密集型应用（如AI、大数据）上发挥作用，日常家用还需时日优化。

有理由相信，PLC上市后将继承QLC的衣钵，承担下所有，容量提升、冗余增加、单位成本降低这些，都抵不过理论寿命降低这一件事——哪怕最能影响固态寿命的是使用环境（温度、负载）、控制器与固件可靠性，也抵不过这一点。