北京
金融界2025年7月17日消息，国家知识产权局信息显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司申请一项名为“降低重掺砷COP缺陷的拉晶方法及单晶晶棒”的专利，公开号CN120311299A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明提供的降低重掺砷COP缺陷的拉晶方法及单晶晶棒，属于单晶硅拉晶技术领域，包括依次进行的掺杂步骤、试温步骤、引晶步骤、放肩步骤、转肩步骤、等径步骤，在掺杂步骤中，每千克总投掺量中投入的掺杂量为7.2克‑7.7克，以使砷在随炉温升高而气化的过程中，大部分的砷气体会被氩气带走吹向固液界面均匀的融入晶体内，只有少部分的砷气体会融入到熔体中形成杂质；在所述放肩步骤中，采用梯度式降低熔体温度的方式使放肩角度保持在20°‑35°之间，以使高浓度砷掺杂引起的晶格应力得到释放避免产生位错，减小晶体生长界面的波动，使得热量可以沿着晶棒的径向方向均匀的传导，减少COP缺陷的富积区，进而降低COP缺陷的生成。
天眼查资料显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，成立于2015年，位于银川市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司参与招投标项目17次，专利信息288条，此外企业还拥有行政许可24个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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