DDR4价格倒挂调查：HBM芯片如何引爆“过时”内存涨价潮？

经济观察报记者 郑晨烨

一款按照技术迭代规律本应逐步淡出主流市场的半导体产品——DDR4内存（第四代双倍数据速率内存），近期却在存储芯片现货市场呈现出反常的价格走势。

7月11日，经济观察报记者以采购商身份在深圳华强北电子市场走访时，注意到了一种矛盾现象：一方面，前来为工控、安防等特定订单询价DDR4内存条的需求仍然存在；另一方面，多数柜台仍向记者推荐新一代的DDR5（第五代双倍数据速率内存，系DDR4的换代产品）相关产品，但商家对DDR4的报价普遍谨慎，并频繁以“没现货”“价格一天一变”为由婉拒需求。

根据市场研究机构闪存市场（CFM）7月8日发布的数据，DDR4 16Gb eTT颗粒的价格已调涨至4.50美元，甚至超过了同日DDR5 16Gb eTT颗粒4.00美元的报价。所谓内存颗粒，指从一整块硅晶圆上切割、封装好的独立芯片，是组装成内存条前的核心半成品；eTT颗粒则特指其中未经过原厂完整、严格测试的颗粒，主要在渠道现货市场流通。

上一代产品的价格反超新一代产品，存储市场出现了罕见的“价格倒挂”现象。

对于产生这种异常现象的深层原因，TrendForce集邦咨询分析师许家源在接受经济观察报记者采访时表示，当前三星（Samsung）、SK海力士（SK hynix）正处在制程转换期，并且“产能优先保障生产Server DRAM（服务器动态随机存取存储器）及HBM（高带宽存储器），导致PC DRAM及mobile DRAM的位元产出受限”。

他认为，供给端因HBM而收缩，需求端又未同步下降，这种“供需错配”是DDR4此轮涨价行情的直接原因。

多位受访者告诉记者，DDR4作为上一代产品，之所以价格不降反升，甚至超过了新一代产品，其根本逻辑在于，上游原厂为聚焦高利润的HBM而主动削减DDR4供给，造成了供给端的短缺；但在下游市场中，部分特定行业（如工控、安防）因其产品周期和认证成本，对DDR4仍存在无法替代的“刚性需求”。

此外，闪存市场分析师杨伊婷亦向记者表示，DDR4产品之所以出现供应紧俏的情况，是因为“近期原厂相继发布了DDR4 EOL（生命周期结束）通知”，但服务器和PC等终端对DDR4产品仍有一定长尾需求，下游在紧急建立DDR4库存。

当持续的“刚需”遭遇急剧收缩的“供给”，便最终催生了这场反常识的“价格倒挂”。

根据公开信息，自今年二季度起，三星、SK海力士已陆续向其客户发出部分DDR4产品的EOL（End-of-Life，产品生命周期结束）通知，而美光科技（Micron）高管亦在6月的公开活动中确认了针对PC及服务器用DDR4的停产计划。而这三家公司，占据了全球DRAM市场超过95%的供应份额。

原厂此举的商业逻辑十分清晰：将宝贵的晶圆产能与研发资源，优先投入到以HBM为代表的、面向AI服务器的高附加值产品中。财报信息显示，SK海力士在其2025年第一季度实现了高达42%的营业利润率，并预计HBM销售额在2025年将占其总内存销售额的50%以上。

这场自上而下的产能切换，迅速将压力传导至产业链中下游。

“打个比方，（DDR4）你今天问我4块钱，过几天可能就4块5了，越问越贵。”7月10日，深圳一家存储模组厂商的市场负责人向记者如是表示。

另外，闪存市场在其最新报告中亦指出，服务器等企业级客户对高价DDR4已产生强烈的“抵触心理”，除零星急单外，客户普遍拒绝“高位接盘”，消费类市场则因此被迫加速向DDR5平台迁移。

那么，在市场表象之下，HBM的产能需求究竟如何引发了这场波及整个传统存储供应链的“蝴蝶效应”呢？

“最后通牒”

DDR，全称为“双倍数据速率同步动态随机存取存储器”，是决定电脑、服务器等电子设备运行速度与多任务处理能力的关键核心组件之一。作为其第四代产品，DDR4自2014年问世以来，在长达十年的时间里，一直扮演着市场绝对主流的角色，是支撑上一代PC与服务器运算体系的基石。

从产品归属上看，DRAM（动态随机存取存储器）是一个大的技术品类，而市场通常所说的DDR4、DDR5，是DRAM技术在PC和服务器领域应用最广泛的主流迭代产品；HBM（高带宽内存）则是DRAM技术为了满足AI服务器等高性能计算场景，而衍生出的一种特殊的高价产品。

按照半导体行业的技术演进规律，新一代产品DDR5的出现，本应依循惯例对DDR4形成替代，因为相较于DDR4，DDR5在传输速率、带宽、单颗芯片容量及功耗控制上均有显著提升，能够更好地满足新一代CPU及AI应用对海量数据吞吐的需求。

因此，从2023年开始，整个存储市场便已进入从DDR4到DDR5的代际转换周期。然而，这场本应平稳的代际转换过程，在2025年二季度之后，逐渐走向了失序。

“DRAM的涨价很猛，尤其部分型号的DDR3、DDR4涨幅接近100%了。”前述深圳一家存储厂商的市场负责人向记者直言。闪存市场7月8日发布的研究报告亦称，近期部分供应商对DDR4 eTT颗粒的官价进行了“暴力拉涨，涨幅接近五成”。

市场的疯狂最终体现在服务器内存这一关键产品上，闪存市场方面指出，服务器用的DDR4 RDIMM（带寄存器的双列直插式内存模组，是服务器内存的常用规格）内存条现货价格，在经历连续快速拉涨之后，已较今年一季度低点呈现翻倍式增长。一位华强北的档口老板在7月上旬的走访中告诉记者，目前市场中“炒货行为居多且价格虚高”，进一步加剧了价格的混乱。

要理解这场价格风波的传导机制，首先需要厘清存储芯片的产业链结构。

这条产业链大致可以分为三个环节：上游，是技术与资本壁垒最高的晶圆原厂（IDM），如三星、SK海力士和美光这三大巨头，它们掌控着从设计、制造到封装测试的全过程，并直接生产出最核心的原材料——内存颗粒；中游，则是数量众多的存储模组厂商和渠道商，它们向上游采购内存颗粒，再结合自研或第三方的主控芯片与固件算法，将其设计、组装成消费者和企业能直接使用的最终产品，比如，国内A股市场上的江波龙（301308.SZ）、佰维存储（688525.SH）、德明利（001309.SZ）以及朗科科技（300042.SZ）等均是这一环节的代表性企业；下游，则连接着广大的终端应用市场，包括PC、服务器、智能手机等品牌制造商，以及最终在零售渠道购买产品的普通消费者。

因此，对于身处产业链中下游的模组厂商和渠道商而言，上游原厂的每一个动作都牵动着他们的神经。

闪存市场分析师杨伊婷告诉经济观察报记者：“近期原厂相继发布了DDR4 EOL（生命周期结束）通知，考虑到服务器和PC等终端对DDR4产品仍有一定长尾需求，下游紧急建立DDR4库存，令近期DDR4产品出现供应紧俏的情况。”

在采访中，记者还了解到，所谓EOL通知，是半导体行业中一份具有“最后通牒”意味的官方文书，它意味着上游原厂将正式停止该型号产品的接单和生产，并给出一个“最终采购（Last Time Buy）”的截止日期。

对于下游客户而言，这无异于一道选择题：要么精准预估未来数年的产品需求，投入巨额资金进行一次性的战略备货；要么，立刻投入同样高昂的研发成本和时间成本，对现有产品进行硬件重新设计，以适配新一代的元器件。

无论是哪种选择，都充满了风险与不确定性。上述深圳一家存储厂商的市场负责人就向记者表示：“部分原厂正是通过控制晶圆原材料的供应节奏和价格，对市场价格走势产生了显著影响。”

许家源也给出了相同的判断，即原厂的EOL时程规划，推动了模组厂积极备货DDR4颗粒。

作为产业核心玩家之一，存储模组龙头江波龙亦在其近期发布的一份投资者交流纪要中指出：“近期受存储晶圆原厂决定战略性部分退出DDR4业务的影响，部分DDR4价格在短期内明显上扬。”

于是，恐慌性的备货潮，叠加部分炒家的囤积居奇，迅速抽干了市场的流动性，并最终导致了“有价无市”的僵局。

在7月上旬于华强北走访过程中，记者了解到，自6月以来，渠道DDR4价格在连续上涨后，市场开始有所降温，个别产品因前期涨幅过大，买卖双方陷入持续的拉锯和僵持阶段，出现了成交乏力的情况。

但事实上，在二季度价格反转之前，整个存储行业刚刚经历了一轮残酷的下行周期。

根据佰维存储在其一季报中的描述，存储市场价格在2025年第一季度达到了“阶段性低点”。这种市场低谷也直接反映在了产业链中游厂商的业绩上，根据公开财报，佰维存储当季净亏损达1.97亿元，而另一家存储模组龙头江波龙同期亦出现1.52亿元的净亏损。

前述存储厂商的市场负责人告诉记者，尽管DDR5是未来趋势，但在工业控制、安防监控、电视机顶盒等对性能要求不高、但对稳定性和兼容性要求极高的利基市场，DDR4仍是更具性价比的选择。此外，记者亦了解到，部分仍在服役的英特尔旧款CPU平台仅支持DDR4，也构成了其需求的底层支撑，正是这部分刚性需求，为市场的询价提供了热度基础。

这种需求的“刚性”，根植于利基市场本身的产品特性：与快速迭代的消费电子不同，一套工业控制系统、一个车载娱乐模块或是一个安防摄像头主板，其生命周期往往长达5至10年。在此期间，任何核心元器件的微小改动，都可能意味着整个硬件方案的重新设计、软件的重新适配，以及一整套漫长且昂贵的行业认证流程，因此，对于这些领域的制造商而言，在产品生命周期内维持供应链的稳定性，其重要性远高于追逐最新的技术参数，一次性地高价备货旧款DDR4，其综合成本，往往仍低于更换平台、重新认证的隐性成本。

闪存市场方面亦指出，高昂的DDR4 RDIMM价格已经使得服务器终端客户“抵触心理日渐强烈”，除了无法避免的“零星急单”外，大客户们普遍不愿在这个时点“高位接盘”。

而在对价格更为敏感的消费类市场，大部分终端客户则选择了“松手”并转换赛道。对此，闪存市场分析称，DDR4与DDR5之间日益缩小的价差乃至“倒挂”，正在“倒逼”PC市场的渠道客户“从DDR4升级至DDR5”。一位华强北的商家也向记者表示，在DDR4现货短缺的情况下，会主动推荐客户转向供应更稳定、价格差距不大的DDR5产品。

至此，一幅复杂的市场图景得以呈现：上游暴力拉涨，中游恐慌抢货，下游则在刚需、抵触与被迫转向之间分化。而这一切看似混乱的市场行为，最终都指向了同一个源头——HBM。

“虹吸效应”

深圳华强北的柜台上，DDR4的报价单日日更新，而在千里之外的韩国与美国，全球三大存储原厂的业绩说明会上，这个曾经的利润支柱，却几乎没有被提及，所有人的目光，都聚焦在了一个新的名字上。

比如，美光科技（Micron）总裁兼CEO桑杰·梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra）在该公司2025财年第三季度业绩报告中，将公司创纪录的营收表现，直接归因于对“人工智能驱动下日益增长的内存需求”的满足。他所说的“内存需求”，其核心正是HBM。作为AI服务器中高算力GPU芯片不可或缺的“左膀右臂”，HBM已成为当前这场AI浪潮中最确定的增量市场之一。

事实上，存储巨头们对HBM的战略倾斜，已经体现在了实实在在的财务数据和经营目标上。美光的财报显示，其2025财年第三季度实现了创纪录的营收，其中“HBM营收实现了近50%的环比增长”；SK海力士则在其2025年第一季度业绩说明中，维持了其2025年HBM需求“同比增长2倍”的展望，并已在今年3月向客户交付了“全球首批HBM4 12Hi样品”，以彰显其技术领导力；三星电子同样在其2025年一季度业绩说明中，将“扩大增强型HBM3E 12H产品的销售”列为核心目标 。

许家源告诉记者，正是这种超高的市场增长预期，才使得原厂做出“产能优先保障生产Server DRAM及HBM”的决策。当然，对HBM的资源聚焦，也直接导致了对传统产品线产能的“计划性”压缩，这是一项贯穿原厂所有产品线的全局性战略。

根据闪存市场7月2日发布的存储市场展望报告，DRAM方面，LPDDR4X在手机中的需求占比仍然较大，在原厂产线切换后，预计手机LPDDR4X整体存在约15%～20%的供应缺口，尤其6GB及以下低容量LPDDR4X供应十分有限，将推动三季度LPDDR4X合约出现20%以上的环比涨幅，并且逼近LPDDR5X的ASP（Average Selling Price，平均销售价格）。

眼下，无论是PC用的DDR4，还是手机用的LPDDR4X，这些上一代的、利润空间相对微薄的产品，都在为HBM和DDR5“让路”。但存储原厂的晶圆产能并非可以无限扩张，一座先进的晶圆厂投资动辄百亿美元，其总产能在一个时期内是相对固定的，而在有限的总产能下，生产决策就成了一道关于成本的数学题。

更重要的是，与传统DRAM相比，HBM的制造工艺更为复杂，不仅需要占用更多的晶圆面积，还需要额外的硅通孔（TSV）和先进封装工艺，这意味着生产一片HBM晶圆所要消耗的综合产能和资源，远高于一片同尺寸的DDR4晶圆。

在这道数学题面前，当HBM能带来数倍的利润时，技术成熟、利润空间早已被严重压缩的DDR4，便成了那个最先从产能规划中被“优化”掉的选项。但另一方面，存储三巨头的此次战略上的调整，在为自身开创HBM高利润时代的同时，也客观上在DDR4等传统市场留下了一个巨大的、有待填补的真空。

“国际大厂如美光、三星等逐步退出部分中低阶或特定类型产品的市场竞争，客观上为本土厂商提供了宝贵的市场空间和客户导入机会。”前述深圳存储厂商的市场负责人向记者表示。

在企业级市场，江波龙在近日发布的投资者交流纪要中亦称，随着AI应用的不断加速，客户基于“本地化、信息安全和供应安全等因素，也将会考虑更多地采用国产企业级存储产品”。该公司已具备“eSSD+RDIMM”（即企业级固态硬盘与服务器内存条，均为数据中心的核心存储部件）的产品设计与规模供应能力，并正积极推进TCM（技术合约制造）模式，以“部分地降低价格波动产生的影响”。

佰维存储则在其近日披露的投资者交流纪要中表示，公司正依托“研发封测一体化”的布局，在AI手机、AI PC、AI眼镜等新兴AI端侧领域获得先发优势，其ePOP（一种将闪存与内存芯片集成封装的嵌入式存储技术，因其小尺寸、低功耗，并可通过堆叠节省大量内部空间，被广泛应用于智能手表、AI眼镜等小型智能设备）系列产品已进入Google、Meta、小米等知名企业的供应链体系。

“目前国内存储晶圆厂、存储模组厂、存储控制芯片厂、封测厂正通力合作，营造存储产业生态，形成产业闭环。”德明利在其5月份举办的业绩说明会上也表示，随着国内存储器产业链的逐步发展和完善，“国内下游存储模组及控制芯片厂商迎来重要发展机遇”。

眼下，对于中国的存储产业链而言，三大原厂的“HBM产能大迁徙”，或许不仅仅是一次市场重构，也为已具备技术实力和市场准备的本土厂商提供了难得的机遇。但前述深圳存储厂商的市场负责人在接受记者采访时也坦言，尽管国际大厂的退出让出了市场空间，但本土厂商依然面临许多现实上的挑战。比如，目前国内企业与国际巨头在HBM以及最先进的DRAM制程等高性能存储领域，“仍存在一定差距，研发和生产能力还需要进一步提升”。

与此同时，一位长期关注半导体产业的分析师也向记者表示，供应链的自主可控能力，特别是上游关键的制造设备、核心材料等，仍是制约部分本土企业发展的关键瓶颈。因此，能否在抓住DDR4这一轮结构性市场机遇的同时，补上在HBM等下一代技术上的核心短板，将是中国存储厂商在这场由AI带来的产业重构中，亟待回答的考题。

（作者 郑晨烨）

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郑晨烨

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