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金融界2025年7月16日消息，国家知识产权局信息显示，桑迪士克科技股份有限公司申请一项名为“具有柱形沟槽桥结构的三维存储器器件及其形成方法”的专利，公开号CN120323099A，申请日期为2024年05月。
专利摘要显示，一种三维存储器器件包括：绝缘层和导电层的交替堆叠，该交替堆叠沿着第一水平方向横向延伸并且沿着第二水平方向由横向隔离沟槽横向间隔开；存储器开口阵列，该存储器开口阵列竖直延伸穿过该交替堆叠；存储器开口填充结构阵列，该存储器开口填充结构阵列位于该存储器开口阵列内并且包括存储器元件的相应竖直堆叠和竖直半导体沟道；以及复合横向隔离沟槽填充结构，该复合横向隔离沟槽填充结构位于相应一对相邻的交替堆叠之间。该复合横向隔离沟槽填充结构中的每个复合横向隔离沟槽填充结构包括介电柱结构，该介电柱结构至少从包括该交替堆叠的底部的第一水平平面竖直延伸到包括该交替堆叠的顶部的第二水平平面。
本文源自：金融界
作者：情报员
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