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金融界2025年7月16日消息，国家知识产权局信息显示，桑迪士克科技股份有限公司申请一项名为“包含多级字线接触阱的三维存储器器件及其制造方法”的专利，公开号CN120323094A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，一种存储器器件包括：绝缘层和导电层的交替叠堆；存储器开口，该存储器开口垂直延伸穿过该交替叠堆；存储器开口填充结构，该存储器开口填充结构位于该存储器开口中并且包括相应存储器膜和相应垂直半导体沟道；接触阱，该接触阱垂直延伸穿过该交替叠堆的层的相应子集，该子集包括该绝缘层中的最顶部绝缘层；电介质填充结构，该电介质填充结构位于该接触阱中；和接触通孔结构的阵列，该接触通孔结构垂直延伸穿过该接触阱中的每个接触阱的该相应电介质填充结构并且接触该导电层的子集内的相应导电层的顶部表面，该导电层的该子集包括垂直间隔开的多个导电层。
本文源自：金融界
作者：情报员
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