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金融界2025年7月8日消息，国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“GaN器件及其制作方法”的专利，公开号CN120282476A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明公开了一种GaN器件及其制作方法，通过额外增加原位生长高掺杂的N+GaN层，并结合二次外延生长AlGaN势垒层的方法，来实现稳定且低阻的欧姆接触结构；原位生长高掺杂的N+GaN层，可以降低半导体一侧的接触势垒，制作方法上欧姆刻蚀时采用刻蚀选择比较高的刻蚀工艺，可以得到低损伤稳定的欧姆接触结构。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目906次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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