北京
金融界2025年7月1日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN120239321A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，包括：提供包括高阻区的衬底，于高阻区内形成高阻区凹槽；于高阻区凹槽内依次形成第一介质层和高阻部件，第一介质层形成于高阻区凹槽底部，且第一介质层的表面低于衬底表面，所述高阻部件位于第一介质层上，且高阻部件的顶面高于衬底表面；于衬底和高阻部件上形成硅化物阻挡层，硅化物阻挡层至少暴露高阻部件的部分顶面；于暴露的高阻部件上形成硅化物层；于高阻区内形成连接高阻结构的高阻区连接件，高阻结构包括位于高阻区凹槽内的第一介质层、高阻部件和位于高阻部件上的硅化物层，高阻区连接件连接高阻部件上的硅化物层。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目627次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1108条，此外企业还拥有行政许可17个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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