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金融界2025年6月24日消息，国家知识产权局信息显示，北京天科合达半导体股份有限公司申请一项名为“碳化硅单晶生长加热装置及加热方法”的专利，公开号CN120193328A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种碳化硅单晶生长加热装置，包括石墨坩埚和套设于所述石墨坩埚外的石墨套筒，所述石墨套筒包括若干个分套筒，多个所述分套筒沿所述石墨坩埚的轴向叠置，所述分套筒按照由上到下电阻率依次增大的顺序设置。本发明的碳化硅单晶生长加热装置，使得石墨坩埚沿轴向的加热温度可调，拉大了石墨坩埚的轴向温度梯度，升华的碳化硅原料更容易在顶部凝结，提高了碳化硅结晶的生产效率。本发明还提供了一种碳化硅单晶生长加热方法。
天眼查资料显示，北京天科合达半导体股份有限公司，成立于2006年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本50600万人民币。通过天眼查大数据分析，北京天科合达半导体股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目270次，财产线索方面有商标信息42条，专利信息184条，此外企业还拥有行政许可148个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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