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金融界2025年6月23日消息，国家知识产权局信息显示，LX半导体科技有限公司申请一项名为“功率半导体器件及包括该功率半导体器件的功率转换器”的专利，公开号CN120187071A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本申请涉及功率半导体器件及包括该功率半导体器件的功率转换器。根据实施方式的功率半导体器件包括：基板、设置在基板上的第一导电类型的外延层、设置在第一导电类型的外延层上的JFET区域、在JFET区域中彼此间隔开设置的第二导电类型的多个第二阱、设置在第二导电类型的第二阱上的第一导电类型的源极区域、设置在第一导电类型的源极区域上的栅极绝缘层、设置在栅极绝缘层上的栅电极、以及设置在栅极绝缘层下方的第二导电类型的第一阱。
本文源自：金融界
作者：情报员
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