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金融界2025年6月21日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置及制造半导体装置的方法”的专利，公开号 CN120184148A，申请日期为 2024年06月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。一种半导体装置可以包括：基板，其包括芯片区域和焊盘区域；第一接合焊盘，其位于芯片区域中；第二接合焊盘，其位于第一接合焊盘上并且具有连接至第一接合焊盘的前表面；第一探测焊盘，其位于焊盘区域中，延伸至芯片区域，并连接至第二接合焊盘当中的至少一个第二接合焊盘的后表面；以及第二探测焊盘，其定位为邻近第一探测焊盘并且连接到第二接合焊盘当中的至少一个第二接合焊盘的后表面。
本文源自：金融界
作者：情报员
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