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金融界2025年6月21日消息，国家知识产权局信息显示，力晶积成电子制造股份有限公司申请一项名为“半导体结构”的专利，公开号CN120187078A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构，其包括缓冲层、通道层、第一半导体层、栅极结构以及漏极和源极。缓冲层设置在基底上。通道层设置在缓冲层上。第一半导体层在通道层上。栅极结构设置在第一半导体层上。漏极和源极设置在第一半导体层上且分别位于栅极结构的相对两侧处。第一半导体层包括位于栅极结构和漏极之间的第一凹槽。
本文源自：金融界
作者：情报员
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