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6月16日，无锡先为科技宣布，公司首台GaN MOCVD BrillMO外延设备正式发往国内头部的化合物半导体企业。
图片来源：先为科技
资料显示，先为科技成立于2020年12月25日，是先导集团在半导体产业布局的关键企业，公司专注于化合物半导体外延设备的研发、制造与销售。
先为科技目前拥有正向研发且知识产权自主可控的GaN MOCVD外延设备、SiC Epi外延设备，应用于功率芯片、射频芯片、Micro LED芯片及碳化硅功率芯片的生产制造。
据悉，本次发货的GaN MOCVD BrillMO外延设备运用特有的温场和流场设计，能实现高质量的成膜效果，为功率芯片、射频芯片、Micro LED芯片的GaN外延制造提供保障，而且设备能够大幅提升生产效率，同时有效降低使用成本。
LEDinside整理
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