北京
分享至
金融界2025年6月12日消息，国家知识产权局信息显示，英飞凌科技奥地利有限公司申请一项名为“半导体器件”的专利，公开号CN120129278A，申请日期为2019年03月。
专利摘要显示，在一个实施例中，半导体器件包括具有场效应晶体管器件的半导体本体，该场效应晶体管器件具有有源区域和在所有侧面上围绕该有源区域的边缘终止区域。有源区域包括半导体本体中的第一蜿蜒的沟槽、第一蜿蜒的沟槽中的第一场板、半导体本体中的第二蜿蜒的沟槽，以及第二蜿蜒的沟槽中的第二场板。第一蜿蜒的沟槽与第二蜿蜒的沟槽分开并侧向间隔开。
本文源自：金融界
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
