北京
分享至
金融界2025年6月10日消息，国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司取得一项名为“一种沟槽SiC MOSFET器件”的专利，授权公告号CN222967308U，申请日期为2024年08月。
专利摘要显示，一种沟槽SiC MOSFET器件，涉及半导体技术领域。通过在沟槽一侧形成P+区实现了单边沟槽结构；器件使用时，P+区与SiC Drift层形成的空间耗尽层屏蔽电场，保护栅氧化层，避免栅氧化层的提早失效，并且在沟槽另一侧形成N+区，降低了器件内阻，同时在顶面制备肖特基接触，使器件内部集成了SBD体二极管，从而减小了器件的续流损耗。
天眼查资料显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司，成立于2006年，位于扬州市，是一家以从事电力、热力生产和供应业为主的企业。企业注册资本54334.7787万人民币。通过天眼查大数据分析，扬州扬杰电子科技股份有限公司共对外投资了27家企业，参与招投标项目183次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息732条，此外企业还拥有行政许可234个。
本文源自：金融界
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
