北京
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金融界2025年6月2日消息，国家知识产权局信息显示，南茂科技股份有限公司申请一项名为“芯片结构的制造方法”的专利，公开号CN120072646A，申请日期为2024年02月。
专利摘要显示，本发明提供一种芯片结构的制造方法，其包括以下步骤。提供基板。形成第一凸块底金属材料层于基板上。形成第二凸块底金属材料层于第一凸块底金属材料层上。形成图案化导电结构于第二凸块底金属材料层上。形成第一覆盖层于图案化导电结构的顶面和侧壁上。进行第一湿式蚀刻工艺，以移除未被图案化导电结构覆盖的第二凸块底金属材料层，而形成第二凸块底金属层。移除第一覆盖层。形成第二覆盖层于图案化导电结构的顶面和侧壁上以及第二凸块底金属层的侧壁上。进行第二湿式蚀刻工艺，以移除未被图案化导电结构覆盖的第一凸块底金属材料层，以形成第一凸块底金属层。移除第二覆盖层。
本文源自：金融界
作者：情报员
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