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金融界2025年5月31日消息，国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“具减少的阻障层损伤的三维内存装置字线”的专利，公开号CN120077754A，申请日期为2023年10月。
专利摘要显示，一种方法包括获得三维(3D)内存装置的基底结构，在基底结构上形成包括高k介电材料的阻障层，以及在阻障层上使用原子层沉积(ALD)工艺形成用于3D内存装置的包括钼的字线。
本文源自：金融界
作者：情报员
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