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金融界2025年5月30日消息，国家知识产权局信息显示，无锡华润上华科技有限公司申请一项名为“沟槽衬底引出结构及其制造方法、半导体器件”的专利，公开号CN120076386A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本发明涉及一种沟槽衬底引出结构及其制造方法、半导体器件，所述方法包括：在衬底中形成总沟槽；在所述总沟槽侧面的衬底中形成重掺杂区，所述重掺杂区的导电类型与衬底相同；形成金属半导体结构；所述金属半导体结构从所述重掺杂区的顶部延伸至所述总沟槽的靠近所述重掺杂区的一侧的侧面，且继续向所述总沟槽的底部延伸，所述总沟槽的底部的部分位置形成与所述金属半导体结构，或所述总沟槽的底部无所述金属半导体结构；在所述总沟槽中填充第一绝缘材料。
天眼查资料显示，无锡华润上华科技有限公司，成立于2002年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本66801.147万美元。通过天眼查大数据分析，无锡华润上华科技有限公司参与招投标项目3946次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息1440条，此外企业还拥有行政许可118个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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