北京
混合键合竞赛升温：长江存储专利领先，韩厂奋起直追
随着HBM4和高层NAND的开发步入加速阶段，混合键合技术（Hybrid Bonding）正日益成为先进封装领域的关键突破口。相比传统的热压键合或微凸点互联，混合键合通过原子级对准实现更薄堆叠、更低能耗、更高带宽和更优良率，尤其适用于高带宽存储（HBM）和3D NAND的高层堆栈需求。
中国长江存储专利布局领先全球
据《ZDNet》援引法国专利分析机构KnowMade的数据，中国长江存储科技股份有限公司（YMTC）在2017年至2024年初之间，公开了119项与混合键合相关的专利，在全球范围内遥遥领先。相比之下，三星电子自2015年起累计申请相关专利仅83项，而SK海力士自2020年开始布局至今，仅披露了11项专利。
不仅如此，据报道，三星电子近期已与YMTC签署授权协议，获得其混合键合技术的使用许可，计划在下一代NAND芯片中正式采用该技术。这一举措被认为是对YMTC专利壁垒的“间接承认”，并反映出该领域内中国产业链在关键工艺技术上的突围。
YMTC自2019年起已量产混合键合技术下的Xtacking架构NAND芯片，采用晶圆对晶圆（W2W）键合方式，将存储单元和外围电路分别制造于不同晶圆上，随后高精度键合形成完整芯片，已形成商业规模出货能力。
韩企加码研发，应对专利压力
面对专利差距和市场需求双重压力，韩国存储器巨头正加速混合键合技术研发与布局。据《Sedaily》报道，三星计划于2024年底前量产12层HBM4，并积极研究混合键合方案。同时，该公司正与其设备子公司SEMES合作推进关键工艺设备研发，以期构建更具竞争力的自有技术体系。
SK海力士方面也在评估在未来的HBM4 16hi堆栈产品中引入混合键合方案，并已明确将在HBM5 20hi堆栈产品中采用该技术，以解决传统TC（Thermal Compression）键合在高层堆叠中面临的良率挑战。
技术趋势转向先进封装核心
市场研究机构TrendForce指出，随着AI、高性能计算（HPC）和数据中心对高带宽、高能效存储解决方案需求持续上升，HBM产业链对混合键合等先进封装技术的关注度正快速上升。
同时，业内广泛认为，混合键合将成为HBM5及未来HBM6产品的标准技术路径。由于该工艺在连接密度、信号完整性和热性能方面的优势，预计将在未来数年成为半导体3D集成的主流工艺。
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