上海
在全球碳化硅（SiC）技术蓬勃发展的浪潮中，专利已成为衡量企业技术实力与创新能力的关键指标。2025年第一季度，国际权威机构KnowMade最新数据显示，全球新增840个碳化硅专利族，同比增长35%。在这场硬核技术较量中，山东天岳先进科技股份有限公司（SICC）衬底专利稳居国内第一，更携8英寸晶圆PCT专利首闯国际战场，标志着中国碳化硅技术从“国产化替代”迈向“全球卡位”。
专利申请量：持续领跑，彰显雄厚实力
天岳先进始终保持着碳化硅衬底专利领域的高频申请节奏，稳居技术前沿。2025年第一季度，全球新增SiC相关专利达840余项，竞争激烈程度可见一斑。而天岳先进依靠深厚的技术积累与敏锐的市场洞察力，持续加大技术研发与申请，在众多企业中脱颖而出，成为专利申请量最多的企业之一。这一成绩绝非偶然，是公司多年来在研发上持续高投入的必然结果。大量的专利申请不仅为公司筑起坚固的技术壁垒，更表明其在碳化硅衬底领域的探索永不止步，持续引领行业发展方向。
技术创新：聚焦核心，提升晶体质量
天岳先进的创新精准聚焦于碳化硅衬底的核心技术——晶体质量提升。其最新的PCT申请极具前瞻性，旨在通过减少残余内应力与优化三维方向应力分布均匀性，实现大尺寸SiC晶圆结晶质量的飞跃，有利于下游外延片和晶体的生产加工。这一创新思路切中了碳化硅衬底生产的关键痛点，公司通过创新工艺与技术手段，致力于让大直径SiC晶圆拥有更均匀的应力分布，就如同为高楼大厦打造坚实稳定的地基，为高可靠性功率器件的基础材料提供了坚实保障，也为整个碳化硅产业链的发展注入强大动力。
国际布局：放眼全球，拓展专利版图
在全球专利竞争的舞台上，公司展现出非凡的国际视野，成为少数几家在中国以外积极开展碳化硅专利布局的本土企业之一。这种前瞻性的国际专利布局战略意义深远。一方面，通过在海外关键市场申请专利，天岳先进能够有效保护自身技术创新成果，防止竞争对手的模仿与侵权，为产品进入国际市场保驾护航；另一方面，国际专利布局也是公司提升国际影响力的重要途径，向全球展示中国企业在碳化硅领域的创新实力，在国际竞争中赢得更多话语权，进一步拓展市场空间，推动中国碳化硅技术走向世界舞台中央。
在全球碳化硅产业加速发展的今天，天岳先进在专利领域的卓越表现无疑为其奠定了坚实的竞争基础。从持续领跑的专利申请量，到聚焦核心的技术创新，再到放眼全球的国际布局，天岳先进每一步都走得坚定而有力。相信在未来，天岳先进将凭借自身专利与技术上的双重优势，在碳化硅这片充满机遇与挑战的蓝海中乘风破浪，引领行业不断迈向新的高峰。
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