北京
金融界2025年5月14日消息，国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司申请一项名为“半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆”的专利，公开号CN119997555A，申请日期为2025年4月。
专利摘要显示，本发明实施例公开了一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。半导体器件包括半导体本体，半导体本体包括第一表面、第二表面、阱区和第一区域；第一表面设置有栅极沟槽和源极沟槽；第一绝缘层位于栅极沟槽的底面和侧壁；沟槽栅极位于栅极沟槽内第一绝缘层远离半导体本体的一侧；源极沟槽结构包括位于源极沟槽内的填充层；阻挡层位于填充层远离半导体本体的一侧，且位于源极沟槽内；欧姆接触金属层位于第一表面且设置有开口；源极位于欧姆接触金属层远离第一表面的一侧，经过开口与阻挡层接触；漏极位于第二表面。本发明实施例的技术方案，可以实现源极沟槽表面平坦，无孔洞或凹槽等异常形貌，提高半导体器件的可靠性。
天眼查资料显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360000万人民币。通过天眼查大数据分析，长飞先进半导体（武汉）有限公司参与招投标项目22次，专利信息56条，此外企业还拥有行政许可15个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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