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金融界2025年5月10日消息，国家知识产权局信息显示，鸿扬半导体股份有限公司申请一项名为“半导体装置与其制造方法”的专利，公开号CN119947150A，申请日期为2024年3月。
专利摘要显示，一种制造半导体装置的方法包含在基板中形成沟槽，沟槽从基板的顶面往下延伸，且沟槽具有侧壁与底面，且侧壁与底面之间的夹角大于或等于90度，在基板的顶面与沟槽的侧壁与底面形成阱，在沟槽的底面形成源极区，在沟槽的底面形成体接触区，且体接触区相邻于源极区，沿着基板的顶面与沟槽的侧壁与底面形成栅极结构，在沟槽中形成源极触点以贯穿栅极结构并电性连接源极区和体接触区。本揭露的半导体装置可在相同面积的情况下提供较大的电流，因此可提供较小的导通电阻。
本文源自：金融界
作者：情报员
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