北京
金融界2025年5月8日消息，国家知识产权局信息显示，上海新微技术研发中心有限公司申请一项名为“一种氮化硅波导结构及其制备方法”的专利，公开号CN119937090A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本发明提供一种氮化硅波导结构的制备方法，包括如下步骤：提供衬底，所述衬底表面形成有氮化硅波导层；在所述氮化硅波导层表面依次形成第一氧化硅层、多晶硅层和第二氧化硅层，形成硬掩膜层；对所述硬掩膜层进行图案化处理，形成刻蚀硬掩膜；对所述氮化硅波导层进行刻蚀处理，形成目标氮化硅波导结构；移除剩余的刻蚀硬掩膜。本发明基于三层结构的硬掩模以及通过对各层硬掩模薄膜厚度的优化，能够将刻蚀尺寸偏差控制在极小范围内，且刻蚀的波导结构侧壁光滑、垂直度好，能够有效降低氮化硅端面耦合器的耦合损耗及氮化硅波导的传输损耗。
天眼查资料显示，上海新微技术研发中心有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本144416万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微技术研发中心有限公司共对外投资了21家企业，参与招投标项目473次，财产线索方面有商标信息52条，专利信息678条，此外企业还拥有行政许可44个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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