北京
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金融界2025年5月2日消息，国家知识产权局信息显示，鸿扬半导体股份有限公司申请一项名为“半导体晶粒及其制造方法”的专利，公开号CN119907311A，申请日期为2024年4月。
专利摘要显示，一种半导体晶粒包括第一晶体管与第二晶体管。第一晶体管位于半导体晶粒的周边区域中。第一晶体管包括第一接垫。以俯视观之，第一接垫具有六边形的第一外缘。第二晶体管位于半导体晶粒的中心区域中。第二晶体管包括第二接垫。以俯视观之，第二接垫具有矩形的第二外缘。周边区域环绕中心区域。第一晶体管共同环绕第二晶体管。以改善周边区域的应力集中与热堆积的问题。
本文源自：金融界
作者：情报员
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