北京
金融界 2025 年 4 月 26 日消息，国家知识产权局信息显示，武汉敏声新技术有限公司申请一项名为“一种基于半铙钹结构的 MEMS 传感器及其制备方法”的专利，公开号 CN119858894A，申请日期为 2025 年 1 月。
专利摘要显示，本发明公开了一种基于半铙钹结构的 MEMS 传感器及其制备方法，制备方法包括：提供基底；在基底一侧形成第一结构层，第一结构层包括端盖层，端盖层包括第一水平部、倾斜部和第二水平部，倾斜部两端分别与第一水平部和第二水平部一体连接，第一水平部位于基底上，第二水平部与第一水平部平行，且位于第一水平部远离基底一侧，基底和端盖层之间存在第一间隙；在第一结构层远离基底一侧依次形成下电极层、压电层和上电极层；下电极层与端盖层之间存在第二间隙。通过上述方法，简化了微米级 MEMS 传感器的制备流程，提高了 MEMS 传感器的生产良率和生产效率。
天眼查资料显示，武汉敏声新技术有限公司，成立于2019年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2411.5347万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉敏声新技术有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目5次，财产线索方面有商标信息35条，专利信息300条，此外企业还拥有行政许可2个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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