北京
金融界2025年4月26日消息，国家知识产权局信息显示，广西云芯半导体科技有限公司申请一项名为“GaN HEMT芯片的封装方法及封装结构”的专利，公开号CN119864284A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，本申请公开了一种GaN HEMT芯片的封装方法及封装结构，方法包括如下步骤：提供芯片和框架，其中框架的上侧表面设有功能区和引线区；将芯片固晶在框架的功能区；S3，设置连接在芯片和框架的引线区之间的键合线；于芯片的表面、键合线的表面和框架的引线区制备防水绝缘膜层；制备包覆芯片、键合线和框架的引线区的封装胶体。相较GaN HEMT芯片的传统封装手段而言，本申请实施例中GaN HEMT芯片的封装结构新增了防水绝缘膜层，进而能够提高GaN HEMT器件的防潮性能和绝缘性能，有利于改善水气侵入导致的失效问题。
天眼查资料显示，广西云芯半导体科技有限公司，成立于2023年，位于南宁市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，广西云芯半导体科技有限公司参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息6条，此外企业还拥有行政许可3个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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