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金融界2025年4月21日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“金属互连结构及其形成方法”的专利，公开号CN119852243A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，一种金属互连结构及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底的表面具有金属互连介质层；对所述金属互连介质层进行刻蚀，以形成沟槽和通孔；在所述沟槽及通孔的底部形成缓冲层；在所述缓冲层的表面形成金属阻挡材料层，并对所述金属阻挡材料层进行轰击，以在所述沟槽及通孔的侧壁形成金属阻挡层；在所述沟槽及通孔内填充金属材料，以形成金属互连线。采用上述方案，可以有效避免金属阻挡层形成过程导致的金属沟槽底部的IMD损伤问题，提高IMD的TDDB寿命。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2908次，专利信息1593条，此外企业还拥有行政许可117个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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