北京
金融界2025年4月21日消息，国家知识产权局信息显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“优化硅片背封的工艺方法”的专利，公开号CN119843241A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明涉及一种优化硅片背封的工艺方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：硅片成膜前进行洗净过程的温度控制。第二步：硅片进入石英舟进行LPCVD成膜时，LPCVD工艺成膜温度为650℃调整至665℃。第三步：提高温度后，硅烷热分解反应完全，膜厚以及均一性会发生变化，需要调整硅烷和氮气的进气流量。通过提高成膜温度的控制，使硅烷分解更完全，多晶生长更完全，减小膜内应力的存在，达到优化硅片背封的效果。
天眼查资料显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，成立于2017年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本503225.6776万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目38次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息329条，此外企业还拥有行政许可17个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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