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金融界2025年4月19日消息，国家知识产权局信息显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司申请一项名为“12006.半导体器件的制备方法”的专利，公开号CN119852172A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件的制备方法，该方法包括：在碳化硅衬底上形成外延层，外延层包括远离碳化硅衬底的第一表面，碳化硅衬底包括远离外延层的第二表面，对第一表面进行离子注入，形成功能区，形成覆盖第一表面的保护层，对第二表面进行离子注入，去除保护层。本申请技术方案所提供的半导体器件的制备方法，能够有效提升碳化硅衬底和外延层，以及设置在外延层上的器件结构的光刻精度。
天眼查资料显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司，成立于2018年，位于芜湖市，是一家以从事商务服务业为主的企业。企业注册资本29570.8317万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽长飞先进半导体股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目29次，财产线索方面有商标信息74条，专利信息181条，此外企业还拥有行政许可12个。
本文源自金融界
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