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金融界2025年4月18日消息，国家知识产权局信息显示，上海芯北电子科技有限公司申请一项名为“基于SiC MOS的单端反激式开关电源系统及方法”的专利，公开号CN 119834630 A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本发明提供基于SiC MOS的单端反激式开关电源系统及方法，包括：输入滤波模块、SiC MOS主开关管、高频变压器、输出整流滤波模块、PWM控制模块、驱动电路及保护电路。本发明通过使用SiC MOSFET等高效器件，并结合动态能效优化算法，系统在满载和轻载条件下都能显著提高效率。与传统方案相比，效率提升了8％至10％以上，尤其在轻载和变载条件下，能够显著降低功率损耗。
天眼查资料显示，上海芯北电子科技有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，上海芯北电子科技有限公司参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息16条，此外企业还拥有行政许可1个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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