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金融界 2025 年 4 月 11 日消息，国家知识产权局信息显示，中晶新源（上海）半导体有限公司申请一项名为“一种 RC-IGBT 及其形成方法”的专利，公开号 CN 119789448 A，申请日期为 2024 年 12 月。
专利摘要显示，本发明提供一种 RC‑IGBT 器件，包括：IGBT 区域设置 IGBT 器件；二极管区域与所述 IGBT 区域相邻，二极管区域设置于元胞内，所述二极管区域设置深槽，所述深槽的侧壁设置薄栅氧化层，用于形成 SBR 二极管，所述深槽的底部设置厚氧化层。本发明提供的 RC‑IGBT 里的 PN 二极管用 SBR 二极管来替代，有效降低了 VF，提升了 RC‑IGBT 反向恢复的性能提升，同时可以节省二极管的面积，使面积利用最大化。
天眼查资料显示，中晶新源（上海）半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事零售业为主的企业。企业注册资本5000万人民币，实缴资本4130万人民币。通过天眼查大数据分析，中晶新源（上海）半导体有限公司财产线索方面有商标信息9条，专利信息25条，此外企业还拥有行政许可1个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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