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金融界2025年4月11日消息，国家知识产权局信息显示，鸿扬半导体股份有限公司申请一项名为“半导体装置”的专利，公开号CN 119789487 A，申请日期为2023年10月。
专利摘要显示，半导体装置包含漏极电极、基底层、第一源极接触与第二源极接触、第一与第二栅极电极、栅极连接结构以及栅极绝缘层。第一与第二栅极电极位在第一与第二源极接触之间。栅极绝缘层包围第一与第二栅极电极以及栅极连接结构。栅极绝缘层包含位在第一与第二栅极电极之间的延伸部，且栅极连接结构在基底层上的垂直投影面积小于栅极绝缘层的延伸部在基底层上的垂直投影面积。栅极连接结构位在第一与第二栅极电极之间且分别连接第一与第二栅极电极，可缩减栅极连接结构与漏极电极在垂直方向上重叠的面积，降低栅极与漏极间的电容，提升切换速度及切换过程的稳定性、使栅极电极的布局紧密，增加单位面积的通道密度，增加电流密度并降低导通后的电阻大小。
本文源自：金融界
作者：情报员
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