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金融界2025年4月10日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“具有增厚层的半导体元件及其制造方法”的专利，公开号 CN 119786493 A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本公开提供一种半导体元件及其制备方法。半导体元件包括基底；字元线结构，包括：字元线介电层，于基底中并有U形剖面轮廓；字元线导电层，下、上导电部，下导电部包括位于字元线介电层上且位于基底内，上导电部于下导电部上且于基底内；及字元线罩盖层，于字元线导电层上；下增厚层，有U形剖面轮廓，于下和上导电部间、上导电部和字元线介电层间、及字元线罩盖层和字元线介电层间；下罩盖层，于基底上且邻近字元线介电层；及上罩盖层，覆盖下罩盖层和字元线结构。下增厚层上表面和字元线介电层上表面大致呈共面且下增厚层上表面和字元线介电层上表面的垂直位面高于基底的上表面。下增厚层包含高k材料、氧化物、氮化物、氮氧化物或其组合。
本文源自：金融界
作者：情报员
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