北京
金融界 2025 年 4 月 7 日消息，国家知识产权局信息显示，江苏超芯星半导体有限公司申请一项名为“一种碳化硅 wafer 的清洗方法”的专利，公开号 CN 119764161 A，申请日期为 2024 年 12 月。
专利摘要显示，本发明提供一种碳化硅 wafer 的清洗方法。清洗方法包括：对待清洗的碳化硅 wafer 进行预清洗；将预清洗后的碳化硅 wafer 置于臭氧溶液中，进行第一主清洗；将第一主清洗后的碳化硅 wafer 置于复合酸溶液中，进行第二主清洗；其中，复合酸溶液中包括无机酸和有机分散剂；进行后处理。本发明首先利用臭氧溶液进行第一主清洗，使 wafer 表面充分氧化，有助于后续复合酸溶液对 wafer 表面金属离子的去除，减少 wafer 表面金属离子污染的风险；其次，利用无机酸和有机分散剂协同配合，有助于在 wafer 的亲水界面或疏水界面加快铺展，提高清洗效果，缩短清洗制程，提高生产效率。经过该清洗方法可以得到表面原子级光滑且结构良好的碳化硅 wafer。
天眼查资料显示，江苏超芯星半导体有限公司，成立于2019年，位于南京市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本1565.4879万人民币，实缴资本785.7101万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏超芯星半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目10次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息62条，此外企业还拥有行政许可18个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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