北京
金融界2025年4月7日消息，国家知识产权局信息显示，北京北方华创微电子装备有限公司申请一项名为“晶圆刻蚀方法及半导体工艺设备”的专利，公开号CN 119764170 A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本发明提供了晶圆刻蚀方法及半导体工艺设备；其中，该方法包括：在晶圆进入工艺腔室之前，在聚焦环上沉积预设厚度的第一含碳层；控制晶圆进入工艺腔室，对光阻层下方的膜层进行刻蚀，以将光阻层的图形传递到下方膜层。上述刻蚀方式中，在不更改半导体工艺设备的硬件材质前提下，首先在晶圆进入工艺腔室之前，在聚焦环上沉积预设厚度的第一含碳层，然后在晶圆进入工艺腔室后，通过对光阻层下方的膜层进行刻蚀，以将光阻层的图形传递到下方膜层，由于聚焦环上沉积预设厚度的第一含碳层，避免了刻蚀过程中由于聚焦环材质导致晶圆边缘处刻蚀异常的情形，从而改善了晶圆刻蚀的均匀性。
天眼查资料显示，北京北方华创微电子装备有限公司，成立于2001年，位于北京市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本114153.708311万人民币，实缴资本114153.708311万人民币。通过天眼查大数据分析，北京北方华创微电子装备有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目1010次，财产线索方面有商标信息45条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可339个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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