北京
金融界2025年4月5日消息，国家知识产权局信息显示，无锡尚积半导体科技股份有限公司申请一项名为“种等离子体增强物理气相沉积方法”的专利，公开号CN 119753578 A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种等离子体增强物理气相沉积方法，包括以下步骤：（1）a、在金属遮件表面依次形成高阻金属氧化物和金属薄膜保护层，并产生负电势；或者b、通过磁控溅射方法，在绝缘遮件上沉积金属薄膜保护层，并产生负电势；（2）磁控溅射制备金属膜：将基底传输至载台上，将环状金属挡片提升至遮件内，通入一定流量氩气形成辉光放电等离子体，等离子体与溅射金属原子碰撞产生大量金属离子，在基底上形成金属膜；（3）将PVD真空腔体内遮件表面的电荷消除并初始化。本发明在金属遮件表面形成高阻金属氧化物和金属薄膜保护层或在绝缘遮件上形成金属薄膜保护层，并产生负电势，能够增强金属薄膜溅射时的等离子体密度，提升金属薄膜台阶覆盖率。
天眼查资料显示，无锡尚积半导体科技股份有限公司，成立于2021年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2030.9677万人民币，实缴资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡尚积半导体科技股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目18次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息108条，此外企业还拥有行政许可15个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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