北京
金融界2025年4月2日消息，国家知识产权局信息显示，泉州三安半导体科技有限公司申请一项名为“一种发光二极管及发光装置”的专利，公开号CN 119744053 A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本申请提供一种发光二极管及发光装置。该发光二极管包括基板、半导体叠层、绝缘层、第一电极层、第一粘附层和第二粘附层；半导体叠层包括自基板的上表面依次叠置的第二半导体层、有源层和第一半导体层；半导体叠层内至少设置一个凹槽，绝缘层设置于基板与半导体叠层之间，并至少覆盖凹槽的侧壁；第一电极层设置于基板与绝缘层之间，并至少设置于凹槽的侧壁和底壁，与第一半导体层电连接；第一粘附层设置于第一电极层与绝缘层之间，并至少设置于凹槽的侧壁；第二粘附层设置于第一电极层与第一粘附层之间，并至少设置于凹槽的侧壁和底壁。通过在绝缘层与第一电极层之间设置第一粘附层，降低凹槽内黑点出现的比例，提高发光二极管的良率和可靠性。
天眼查资料显示，泉州三安半导体科技有限公司，成立于2017年，位于泉州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本500000万人民币，实缴资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，泉州三安半导体科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目56次，专利信息588条，此外企业还拥有行政许可297个。
本文源自：金融界
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
