北京
金融界2025年4月2日消息，国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“高压隔离环结构”的专利，公开号CN 119744006 A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明提供一种高压隔离环结构，高压隔离环由高压二极管组成并隔离在高压电路和低压电路之间；在半导体衬底上形成有第一导电类型掺杂的外延层；外延层上形成有第二导电类型的掺杂区；第一导电类型重掺杂的阳极，阳极接高电平；第二导电类型重掺杂的体接触区，体接触区接低电平；至少一对第一导电类型重掺杂的第一有源区和第二导电类型重掺杂的第二有源区，第一、二有源区交替形成在第一阱区的选定区域，以形成寄生三极管结构，第一、二有源区均连接到低电平；栅极结构接低电平。本发明通过在高压二极管中插入三极管结构，能提高隔离环的泄放静电电流能力，且其占据的芯片面积保持不变。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币，实缴资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目846次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可427个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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