北京
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金融界2025年4月2日消息，国家知识产权局信息显示，鸿扬半导体股份有限公司申请一项名为“半导体装置与其制造方法”的专利，公开号CN 119742228 A，申请日期为2023年10月。
专利摘要显示，一种制造半导体装置的方式包含提供基板，在基板中形成第一沟槽，第一沟槽的顶部宽度大于第一沟槽的底部宽度，在第一沟槽的一侧形成阱与源极区，源极区在阱上，沿着基板的表面形成硬遮罩堆叠，在硬遮罩堆叠中形成第二沟槽，且第二沟槽的底部位于第一沟槽的转角的上方，进行离子植入工艺，以在基板靠近第一沟槽的转角的区域形成遮蔽掺杂区，移除硬遮罩堆叠，沿着基板的表面形成栅极介电层，且栅极介电层覆盖遮蔽掺杂区，以及在第一沟槽中形成栅极。本发明的一些实施方式可用于形成上宽下窄的栅极，因此在栅极的转角处形成的遮蔽掺杂区不容易遮挡住电子流的路径，从而降低半导体装置的电阻。
本文源自：金融界
作者：情报员
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