北京
金融界2025年4月2日消息，国家知识产权局信息显示，湖南融创微电子股份有限公司申请一项名为“抗辐照芯片设计方法、装置、计算机设备和存储介质”的专利，公开号 CN 119740412 A，申请日期为 2025 年 3 月。
专利摘要显示，为解决现有技术中抗辐照芯片设计面积消耗大、周期长、成本高以及抗辐照性能不高的问题，本发明提出抗辐照芯片设计方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：找到Tap Cell和标准单元之间最大距离；通过建立含有Tap Cell的器件级SEL仿真模型，找到抗SEL的Tap Cell插入距离；通过建立单元级SET仿真模型，找到同时抗SEL和抗SET的Tap Cell插入间距，作为依据在版图中进行Tap Cell和标准单元的重新布局，完成芯片版图设计。该设计方法利用Tap Cell插入间距对SEL和SET敏感性造成差异的性质，提升设计芯片抗辐照性能的同时，兼顾了设计的成本和周期。
天眼查资料显示，湖南融创微电子股份有限公司，成立于2014年，位于长沙市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2696.2077万人民币，实缴资本2696.20767万人民币。通过天眼查大数据分析，湖南融创微电子股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目22次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息52条，此外企业还拥有行政许可1个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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