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金融界2025年4月2日消息，国家知识产权局信息显示，西安龙飞电气技术有限公司取得一项名为“浮空P环岛的双沟槽SiC MOSFET器件及制备方法”的专利，授权公告号CN 119342870 B ，申请日期为2024年12月。
天眼查资料显示，西安龙飞电气技术有限公司，成立于2013年，位于西安市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本3000万人民币，实缴资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，西安龙飞电气技术有限公司参与招投标项目26次，专利信息44条，此外企业还拥有行政许可17个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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