北京
金融界2025年3月29日消息，国家知识产权局信息显示，上海芯导电子科技股份有限公司申请一项名为“一种GaN HEMT器件及其制备方法”的专利，公开号CN 119698022 A ，申请日期为2023年9月。
专利摘要显示，本发明提供了一种GaN HEMT器件及其制备方法，包括：第一衬底，以及沿远离第一衬底的方向依次形成的缓冲层和沟道层；势垒层；势垒层覆盖于沟道层的表面；P‑GaN层，P‑GaN层覆盖部分势垒层的表面；其中，P‑GaN层所覆盖的部分势垒层的厚度小于10nm，且小于其余未覆盖的部分势垒层的厚度；第一介质层，覆盖于势垒层和P‑GaN层上；其中，P‑GaN层上的第一介质层的表面形成有栅极；其中，栅极、P‑GaN层以及P‑GaN层上的第一介质层共同构成MIS型栅结构；MIS型栅结构的两端分别形成源极和漏极。该技术方案解决了现有的GaN HEMT器件阈值电压较低、能够承受的栅源电压较小以及栅极可靠性低的问题。
天眼查资料显示，上海芯导电子科技股份有限公司，成立于2009年，位于上海市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本11760万人民币，实缴资本350万人民币。通过天眼查大数据分析，上海芯导电子科技股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息122条，此外企业还拥有行政许可5个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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