北京
金融界2025年3月29日消息，国家知识产权局信息显示，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请一项名为“嵌入式锗硅器件及其制备方法”的专利，公开号CN 119698060 A，申请日期为2023年9月。
专利摘要显示，本发明提供了一种嵌入式锗硅器件及其制备方法，所述嵌入式锗硅器件及包括：衬底，所述衬底上设有栅极结构；源漏沟槽，设于所述栅极结构两侧的衬底中；锗硅结构，设于所述源漏沟槽内，且掺杂有P型离子；其中，所述源漏沟槽的内壁掺杂碳，用以抑制所述P型离子扩散至所述栅极结构下的衬底中。本发明中，利用碳原子抑制锗硅结构中的P型离子向栅极结构下的衬底中扩散，降低P型离子扩散到导电沟道或栅介质层中的风险，从而提升嵌入式锗硅器件的经时介电层击穿性能。
天眼查资料显示，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1150000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司参与招投标项目65次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息435条，此外企业还拥有行政许可211个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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