北京
金融界2025年3月26日消息，国家知识产权局信息显示，西安航天民芯科技有限公司申请一项名为“一种用于高压PMOS的驱动电路”的专利，公开号CN 119675642 A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，本发明涉及电子电路设计技术领域，尤其是一种用于高压PMOS的驱动电路，包括参考电位点GND，还包括：第一N型MOS管NM1 的源极、第六N 型MOS管NM6的源极、第四N型MOS管NM4的源极、第二N型MOS管NM2的源极、第五N型MOS管NM5的源极、第三N型MOS管NM3的源极与GND相连；齐纳二极管D1的负端、电阻R1、第一P型MOS管PM1的源极、齐纳二极管D2的负端、电阻R2、第二P型MOS管PM2的源极、齐纳二极管D3的负端、电阻R3、第三N型MOS管NM3的漏极与VIN相连；驱动控制，用于控制第一P型MOS管PM1和第二P型MOS管PM2的导通与关断；通过合理设计的电路结构和控制逻辑，实现了对高压PMOS功率管栅源电压的有效控制，提高了驱动能力，降低了导通阻抗，并优化了高压PMOS功率管的性能。
天眼查资料显示，西安航天民芯科技有限公司，成立于2011年，位于西安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5058.8985万人民币，实缴资本5058.8985万人民币。通过天眼查大数据分析，西安航天民芯科技有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目12次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息190条，此外企业还拥有行政许可19个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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