北京
分享至
金融界2025年3月26日消息，国家知识产权局信息显示，半导体元件工业有限责任公司申请一项名为“半导体衬底裂纹缓解系统和相关方法”的专利，公开号 CN 119673760 A，申请日期为2019年4月。
专利摘要显示，本发明题为“半导体衬底裂纹缓解系统和相关方法”。本发明公开了一种用于愈合半导体衬底中的裂纹的方法，所述方法的实施方式可以包括：识别半导体衬底中的裂纹；以及加热所述半导体衬底的包括所述裂纹的区域，直到所述裂纹愈合。
本文源自：金融界
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
